Тестер пробивного напряжения IGBT MOSFET, 120–2700 В

Тестер предназначен для измерения напряжения пробоя электронных компонентов: IGBT- и MOSFET-транзисторов, диодов, стабилитронов, диодных мостов, конденсаторов низкого напряжения (например, 35 В), варисторов (MOV) и светодиодных панелей. Диапазон выходного напряжения — от 120 до 2700 В постоянного тока, регулируется поворотом ручки. Выходной ток регулируется в пределах 0,2–38 мА: минимальное значение (0,2 мА) рекомендуется при тестировании стабилитронов и MOSFET, максимальное (38 мА) — при проверке светодиодных панелей. Устройство питается от встроенного литиевого аккумулятора 3,7 В, 600 мА·ч, зарядка осуществляется через разъём Type-C (вход 5 В / 1 А, ток зарядки до 550 мА). Компактный корпус выполнен из пластика, подходит для переноски в инструментальной сумке. Не предназначен для проверки высоковольтных электролитических конденсаторов (например, 450 В / 220 мкФ). При отсутствии выходного напряжения после нажатия кнопки запуска возможно снижение заряда аккумулятора ниже 3,1 В — требуется подзарядка. В комплект входит только тестер. Цвет корпуса — белый, маркировка — синим шрифтом. Внешний вид и текст на корпусе могут незначительно отличаться в зависимости от партии, что не влияет на функциональность. Погрешность измерений — ±1–3 В.